濺射靶材作為沉積電子薄膜的核心原材料，在平板顯示、半導(dǎo)體集成電路、太陽能電池等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)中具有不可替代的地位。其質(zhì)量直接決定了終端產(chǎn)品的性能與穩(wěn)定性，因此被視為電子信息產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中的“基石”材料。隨著全球數(shù)字化進(jìn)程加速，濺射靶材的市場需求持續(xù)攀升，2021年全球市場規(guī)模已達(dá)213億美元，年均增長率保持在14%以上。然而，這一高技術(shù)領(lǐng)域長期被日美企業(yè)壟斷，美國普萊克斯、霍尼韋爾，日本JX金屬、東曹等巨頭占據(jù)全球80%以上的市場份額，形成了技術(shù)封鎖與產(chǎn)業(yè)壁壘雙重制約。

中國作為全球電子制造業(yè)第一大國，濺射靶材的自主可控對保障產(chǎn)業(yè)鏈安全具有戰(zhàn)略意義。過去十余年間，我國通過政策引導(dǎo)、科技專項(xiàng)扶持與資本助力，逐步打破國外壟斷，實(shí)現(xiàn)了從“0到1”的突破。截至2020年，國內(nèi)靶材市場規(guī)模達(dá)337億元，全球市場占比從2014年的10%提升至2019年的19%，江豐電子、有研新材等企業(yè)已進(jìn)入臺積電、中芯國際、京東方等國際供應(yīng)鏈體系。這一進(jìn)程不僅為我國高技術(shù)產(chǎn)業(yè)突破“卡脖子”困境提供了實(shí)踐樣本，更揭示了“規(guī)模-技術(shù)”非對稱領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主創(chuàng)新的內(nèi)在規(guī)律。

本文基于國內(nèi)外濺射靶材產(chǎn)業(yè)的最新研究成果，系統(tǒng)梳理其技術(shù)演進(jìn)脈絡(luò)、應(yīng)用領(lǐng)域拓展與全球競爭格局，重點(diǎn)分析中國在材料提純、工藝突破、產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建等方面的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)與現(xiàn)存挑戰(zhàn)，并結(jié)合產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律提出未來發(fā)展路徑，為推動關(guān)鍵核心材料自主可控提供理論與實(shí)踐參考。

一、濺射靶材的種類劃分與應(yīng)用場景拓展

濺射靶材的分類體系與其應(yīng)用場景密切關(guān)聯(lián)，不同維度的劃分既反映材料特性，也體現(xiàn)產(chǎn)業(yè)需求的多樣性。按成分差異，可分為金屬靶材、合金靶材與陶瓷化合物靶材三大類：金屬靶材以Ni、Cu、Al、Mo、Ti等純金屬為主，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體電極與互連層制備；合金靶材如AlSi、TiNi、NiCr等，通過成分調(diào)控實(shí)現(xiàn)特定電學(xué)與力學(xué)性能，適配不同薄膜功能需求；陶瓷化合物靶材則涵蓋氧化物（ITO、SiO?）、氮化物（BN、Si?N?）、氟化物（MgF?）等，在透明導(dǎo)電膜、絕緣層等場景中不可替代。以ITO靶材為例，其In?O?與SnO?的分子比需嚴(yán)格控制在93:7或91:9，才能滿足平板顯示器對透光率與導(dǎo)電性的雙重要求。

按幾何形狀劃分，平面靶材（長方體/正方體）與旋轉(zhuǎn)靶材（圓柱體）構(gòu)成主流類型。傳統(tǒng)平面靶材利用率僅20%-30%，而旋轉(zhuǎn)靶材通過360度均勻刻蝕，利用率可提升至80%以上，已成為高端領(lǐng)域的主流選擇。廣東凱盛等企業(yè)通過注漿成形技術(shù)制備的大尺寸旋轉(zhuǎn)靶材，在TFT-LCD生產(chǎn)線中實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定應(yīng)用。此外，按應(yīng)用領(lǐng)域可分為半導(dǎo)體用靶材、顯示薄膜用靶材、太陽能電池用靶材等，其中半導(dǎo)體靶材因技術(shù)門檻最高，成為各國競爭的焦點(diǎn)。

（一）核心應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)需求差異

半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域?qū)Π胁募兌扰c微觀結(jié)構(gòu)要求最為嚴(yán)苛。邏輯器件與存儲器件的金屬化工藝中，靶材需滿足4N5（99.995%）以上純度，14nm節(jié)點(diǎn)銅靶純度要求甚至超過6N5（99.9995%）。鋁及鋁合金靶材在90nm以上節(jié)點(diǎn)作為互連材料，需通過添加Cu、Si抑制電遷移現(xiàn)象；90nm以下節(jié)點(diǎn)則以銅靶為主，搭配鉭（Ta）阻擋層防止擴(kuò)散，而7nm節(jié)點(diǎn)已開始采用鈷（Co）靶材替代銅以降低線電阻。有研億金開發(fā)的7N純度銅靶，通過晶粒細(xì)化與織構(gòu)調(diào)控技術(shù)，滿足了300mm晶圓的濺射需求。

平板顯示領(lǐng)域以ITO靶材與Mo、Cu靶材為核心。ITO靶材用于制備透明導(dǎo)電膜，其致密度需達(dá)到95%以上才能避免濺射過程中的微粒飛濺；Mo靶作為薄膜晶體管（TFT）的柵極材料，要求晶粒尺寸控制在100μm以下且分布均勻。阿石創(chuàng)與鄭州大學(xué)合作開發(fā)的高性能ITO靶材，通過納米粉體燒結(jié)技術(shù)將致密度提升至98%，在京東方8.5代線實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用。

太陽能電池領(lǐng)域的靶材需求呈現(xiàn)多元化。銅銦鎵硒（CIGS）薄膜電池依賴CIGS、CdS、ZnO等靶材，其中Mo靶作為背電極需具備高導(dǎo)電性與耐候性；鈣鈦礦電池則對無銦靶材提出新需求，隆華科技開發(fā)的無銦靶材已進(jìn)入供貨測試階段。相較于半導(dǎo)體領(lǐng)域，太陽能靶材技術(shù)門檻較低，我國已實(shí)現(xiàn)80%以上的國產(chǎn)化率，成為最早突破的應(yīng)用場景。

其他拓展領(lǐng)域包括裝飾鍍膜、工模具強(qiáng)化與磁記錄介質(zhì)等。裝飾鍍膜用Cr、Ti靶材需兼顧外觀與耐磨性，智能手機(jī)外殼的玫瑰金鍍膜即采用Au-Cu合金靶材；工模具鍍膜用TiAl、CrAl靶材可將刀具壽命提升3-5倍，發(fā)達(dá)國家刀具鍍膜比例已超90%；磁記錄領(lǐng)域的Co基、FeCo基合金靶材，支撐了硬盤存儲密度的持續(xù)提升。

二、全球產(chǎn)業(yè)格局與中國突破路徑

（一）日美歐企業(yè)的壟斷格局與技術(shù)壁壘

全球?yàn)R射靶材產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)典型的寡頭壟斷特征，日美企業(yè)通過技術(shù)積累與產(chǎn)業(yè)鏈整合形成了難以撼動的競爭優(yōu)勢。日本JX金屬、東曹株式會社在半導(dǎo)體靶材領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，其中JX金屬的銅靶、鉭靶在全球市場份額分別達(dá)40%、35%；美國霍尼韋爾、普萊克斯則在高純鋁靶、鈦靶領(lǐng)域領(lǐng)先，普萊克斯的鋁靶純度可達(dá)6N，長期供應(yīng)英特爾、三星等企業(yè)。

技術(shù)壁壘體現(xiàn)在三個維度：一是垂直整合能力，日美企業(yè)掌控從高純原材料提純到靶材制備的全鏈條技術(shù)，如日本住友化學(xué)自1941年實(shí)現(xiàn)99.99%精鋁量產(chǎn)，形成百年技術(shù)積淀；二是專利布局，1990-1998年美國申請的靶材專利中，日本企業(yè)占比58%，美國占27%，形成嚴(yán)密的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)網(wǎng)；三是客戶認(rèn)證體系，下游企業(yè)對供應(yīng)商的認(rèn)證周期長達(dá)6個月至2年，涵蓋樣品檢測、小批量試用、穩(wěn)定性驗(yàn)證等多環(huán)節(jié)，我國企業(yè)需在質(zhì)量與成本上顯著優(yōu)于現(xiàn)有供應(yīng)商才能獲得入場機(jī)會。

（二）中國濺射靶材的產(chǎn)業(yè)化突破進(jìn)程

我國濺射靶材產(chǎn)業(yè)起步于21世紀(jì)初，通過“政策-科技-資本”三輪驅(qū)動實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。政策層面，國家將高純靶材納入《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄》鼓勵類項(xiàng)目，“863計(jì)劃”“02專項(xiàng)”等科技專項(xiàng)持續(xù)投入，2015年調(diào)整的關(guān)稅政策（進(jìn)口靶材2019年起征收5%-8%關(guān)稅）進(jìn)一步推動本地化替代。資本層面，江豐電子、有研新材等企業(yè)通過上市融資獲得研發(fā)資金，江豐電子“年產(chǎn)5.2萬個超大規(guī)模集成電路用靶材”項(xiàng)目總投資達(dá)10億元，設(shè)備投入占比超30%。

產(chǎn)業(yè)突破呈現(xiàn)梯度推進(jìn)特征：太陽能電池靶材率先實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，2020年自給率超90%；平板顯示靶材中，ITO靶材國產(chǎn)化率超50%，阿石創(chuàng)、隆華科技已占據(jù)京東方、華星光電供應(yīng)鏈的重要份額；半導(dǎo)體靶材取得局部突破，江豐電子的鈦靶、有研億金的鈷靶通過中芯國際驗(yàn)證，28nm制程靶材實(shí)現(xiàn)部分替代，但5nm節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品仍處于客戶端驗(yàn)證階段。

企業(yè)層面，江豐電子通過聯(lián)合哈爾濱工業(yè)大學(xué)攻克高純鋁、鈦原材料自主供應(yīng)，構(gòu)建從上游到下游的完整鏈條；有研億金建立“超高純原材料-靶材-蒸發(fā)膜材”垂直一體化平臺，其鎳鉑靶材在65nm節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)批量供貨；阿石創(chuàng)則聚焦智能制造，建成PVD鍍膜材料全流程數(shù)字化生產(chǎn)線，產(chǎn)品穩(wěn)定性提升30%以上。這些實(shí)踐表明，企業(yè)主導(dǎo)的產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新是突破技術(shù)封鎖的有效路徑。

三、關(guān)鍵制備技術(shù)與工藝創(chuàng)新方向

濺射靶材的制備工藝直接決定其性能指標(biāo)，不同材料體系適配差異化技術(shù)路線，形成了熔融鑄造與粉末冶金兩大主流方法，以及后續(xù)的精密加工與檢測體系。

（一）兩大核心制備工藝的技術(shù)特性

熔融鑄造法適用于金屬與部分合金靶材，通過真空冶煉-澆注-熱加工流程實(shí)現(xiàn)高致密度。其優(yōu)勢在于雜質(zhì)含量低（可控制在1ppm以下）、致密度達(dá)98%以上，但對熔點(diǎn)差異大的合金易產(chǎn)生成分偏析。新疆眾和采用三層電解精煉法制備的5N超純鋁靶材，通過控制反偏析元素含量，將純度提升至99.999%，但與國際先進(jìn)水平仍有差距。該工藝的關(guān)鍵在于熱處理參數(shù)優(yōu)化，如鈦靶需通過β相變處理細(xì)化晶粒，使濺射速率提升20%。

粉末冶金法成為難熔金屬與陶瓷靶材的主流選擇，尤其適用于鎢、鉬、ITO等材料。其流程包括高純粉末制備、成形燒結(jié)、精密加工，廣東凱盛通過等離子燒結(jié)技術(shù)制備的ITO靶材，致密度達(dá)95%以上，滿足大尺寸顯示面板需求。該工藝的核心是粉末純度與粒度控制，如制備5N鎢粉需將氧含量控制在50ppm以下，廈門鎢業(yè)通過氫還原工藝實(shí)現(xiàn)了這一指標(biāo)，但批次穩(wěn)定性仍需提升。

靶材與背板的連接技術(shù)是另一關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接影響濺射過程中的導(dǎo)熱與導(dǎo)電性。真空釬焊法通過無釬劑焊接避免污染，在金基合金靶材中應(yīng)用廣泛；鑲嵌復(fù)合法通過機(jī)械軋制實(shí)現(xiàn)靶材與背板的緊密結(jié)合，江豐電子采用該技術(shù)制備的鈦靶組件，在300mm晶圓濺射設(shè)備中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定運(yùn)行。

（二）技術(shù)指標(biāo)的嚴(yán)苛要求與檢測體系

靶材性能需滿足多維度指標(biāo)：純度方面，半導(dǎo)體用鋁靶需5N以上，而14nm銅靶需6N5以上；致密度要求95%以上，否則易因氣孔導(dǎo)致濺射放電異常；晶粒尺寸需控制在特定范圍，如鈦靶晶粒小于100μm可提升薄膜均勻性；結(jié)晶取向通過織構(gòu)調(diào)控優(yōu)化濺射速率，鎳鉑靶材需控制（111）晶面取向占比超80%。

檢測技術(shù)體系支撐指標(biāo)實(shí)現(xiàn)，輝光放電質(zhì)譜儀（GDMS）用于痕量雜質(zhì)分析，可檢測ppb級元素含量；X射線衍射（XRD）用于織構(gòu)分析，確保結(jié)晶取向一致性；掃描電鏡（SEM）則用于微觀缺陷檢測，控制氣孔與夾雜數(shù)量。目前，我國高精度檢測設(shè)備仍依賴進(jìn)口，如GDMS完全依賴國外品牌，制約了自主創(chuàng)新效率。

四、中國產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)存挑戰(zhàn)與瓶頸

盡管我國濺射靶材產(chǎn)業(yè)取得顯著進(jìn)展，但在高端領(lǐng)域仍面臨多重制約，反映出關(guān)鍵材料自主創(chuàng)新的復(fù)雜性與長期性。

（一）基礎(chǔ)研究薄弱與原材料依賴

高純金屬提純技術(shù)是主要短板，我國雖擁有豐富礦產(chǎn)資源，但5N以上超純鋁、鉭等原材料仍依賴進(jìn)口。以超純鋁為例，美國1901年提出三層電解精煉法，日本住友化學(xué)1941年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而我國因基礎(chǔ)研究滯后，眾和股份生產(chǎn)的5N超純鋁中，反偏析元素控制不佳，導(dǎo)致靶材性能與國際差距明顯。鉭靶材領(lǐng)域，寧夏東方鉭業(yè)雖實(shí)現(xiàn)4N5鉭量產(chǎn)，但5N鉭的個別雜質(zhì)元素穩(wěn)定控制仍未突破，高端鉭靶坯進(jìn)口依存度超70%。

（二）下游認(rèn)證壁壘與應(yīng)用反饋不足

靶材進(jìn)入下游供應(yīng)鏈需通過嚴(yán)苛認(rèn)證，中芯國際等企業(yè)的認(rèn)證流程包括12個環(huán)節(jié)，周期長達(dá)18-24個月。我國企業(yè)因缺乏歷史數(shù)據(jù)積累，往往需通過“性能超標(biāo)”策略突破壁壘，江豐電子的鈦靶在純度與均勻性上優(yōu)于日本競品30%以上才獲得認(rèn)證。更嚴(yán)峻的是，上下游缺乏戰(zhàn)略合作，下游企業(yè)出于風(fēng)險顧慮，提供的工藝反饋有限，導(dǎo)致國產(chǎn)靶材的迭代優(yōu)化速度滯后于國際水平。

（三）生產(chǎn)模式與成本控制困境

“多品種、小批量”的定制化生產(chǎn)特征，導(dǎo)致我國企業(yè)研發(fā)投入高、利潤率低。行業(yè)綜合毛利率僅20%-25%，低于國外企業(yè)的30%以上；江豐電子等企業(yè)的非經(jīng)常性損益占比超40%，依賴政府補(bǔ)貼維持研發(fā)。此外，關(guān)鍵設(shè)備如電子束熔煉爐、熱等靜壓機(jī)依賴進(jìn)口，設(shè)備投資占比超30%，進(jìn)一步擠壓利潤空間。

（四）風(fēng)險機(jī)制與人才體系不完善

國產(chǎn)靶材應(yīng)用的風(fēng)險補(bǔ)償機(jī)制缺失，下游企業(yè)因擔(dān)心質(zhì)量問題導(dǎo)致生產(chǎn)線停機(jī)，對國產(chǎn)材料持保守態(tài)度。2021年成立的集成電路共保體雖提供5903億元保障，但尚未覆蓋靶材等細(xì)分領(lǐng)域。人才方面，行業(yè)缺乏既懂材料冶金又熟悉半導(dǎo)體工藝的復(fù)合型人才，江豐電子等企業(yè)的核心團(tuán)隊(duì)中，歸國博士與日籍專家占比超60%，國內(nèi)自主培養(yǎng)人才缺口顯著。

五、自主可控的發(fā)展路徑與對策建議

基于濺射靶材產(chǎn)業(yè)的發(fā)展規(guī)律與我國實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，推動關(guān)鍵核心材料自主可控需構(gòu)建“技術(shù)-產(chǎn)業(yè)-生態(tài)”三位一體的發(fā)展體系，實(shí)現(xiàn)從單點(diǎn)突破到系統(tǒng)能力提升。

（一）強(qiáng)化基礎(chǔ)研究與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

建立“基礎(chǔ)研究-應(yīng)用研究-產(chǎn)業(yè)化”的全鏈條布局：在基礎(chǔ)研究層面，聚焦高純金屬提純機(jī)理，如三層電解法中反偏析元素控制、粉末冶金的晶粒生長規(guī)律等，依托國家實(shí)驗(yàn)室開展長期攻關(guān)；在應(yīng)用研究層面，鼓勵企業(yè)與科研院所共建創(chuàng)新聯(lián)合體，阿石創(chuàng)與鄭州大學(xué)合作的“ITO靶材工程化項(xiàng)目”已實(shí)現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)化；在產(chǎn)業(yè)鏈層面，推動龍頭企業(yè)牽頭組建戰(zhàn)略聯(lián)盟，江豐電子聯(lián)合北方華創(chuàng)等設(shè)備企業(yè)研制靶材生產(chǎn)設(shè)備，降低對外依存度。

（二）完善市場機(jī)制與風(fēng)險補(bǔ)償

發(fā)揮我國市場規(guī)模優(yōu)勢，通過需求側(cè)拉動供給創(chuàng)新：鼓勵下游企業(yè)預(yù)留10%-15%的采購份額給國產(chǎn)靶材，中芯國際已在14nm產(chǎn)線中試用有研億金的鈷靶；推廣集成電路共保體經(jīng)驗(yàn)，設(shè)立靶材專項(xiàng)保險基金，對應(yīng)用過程中的非人為損失提供保障；建立國產(chǎn)靶材驗(yàn)證平臺，縮短認(rèn)證周期，京東方與阿石創(chuàng)共建的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室使認(rèn)證時間從18個月壓縮至12個月。

（三）突破設(shè)備瓶頸與智能化升級

實(shí)施靶材生產(chǎn)設(shè)備國產(chǎn)化專項(xiàng)，重點(diǎn)攻關(guān)電子束焊機(jī)、輝光放電質(zhì)譜儀等“卡脖子”設(shè)備，沈陽拓荊的磁控濺射設(shè)備已實(shí)現(xiàn)部分替代；推動生產(chǎn)線智能化改造，通過數(shù)字孿生技術(shù)優(yōu)化工藝參數(shù)，阿石創(chuàng)的智能化產(chǎn)線使產(chǎn)品良率提升15%；建立全國統(tǒng)一的知識產(chǎn)權(quán)交易平臺，促進(jìn)專利轉(zhuǎn)化，江豐電子、有研新材等企業(yè)的1700余項(xiàng)專利有望通過質(zhì)押融資實(shí)現(xiàn)價值變現(xiàn)。

（四）構(gòu)建人才培養(yǎng)與國際合作體系

完善“高校-企業(yè)”聯(lián)合培養(yǎng)機(jī)制，哈爾濱工業(yè)大學(xué)與江豐電子共建的靶材專業(yè)方向已培養(yǎng)500余名人才；加大國際高端人才引進(jìn)，優(yōu)化出入境、稅收等配套政策，吸引海外專家參與關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)；深度參與國際標(biāo)準(zhǔn)制定，在靶材純度檢測、薄膜性能評價等領(lǐng)域發(fā)出中國聲音，提升產(chǎn)業(yè)話語權(quán)。

全文總結(jié)

濺射靶材作為電子信息產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，其自主可控程度直接關(guān)系產(chǎn)業(yè)鏈安全與產(chǎn)業(yè)競爭力。我國通過政策引導(dǎo)、科技攻關(guān)與市場拉動，在濺射靶材領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從跟跑到并跑的跨越，形成了“應(yīng)用牽引-技術(shù)突破-產(chǎn)業(yè)升級”的發(fā)展路徑，為其他“卡脖子”領(lǐng)域提供了寶貴經(jīng)驗(yàn)。

當(dāng)前，我國已在中低端靶材市場實(shí)現(xiàn)自主供應(yīng)，但高端領(lǐng)域仍面臨基礎(chǔ)研究薄弱、設(shè)備依賴、人才短缺等挑戰(zhàn)。未來需以基礎(chǔ)研究為根基，強(qiáng)化產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新；以市場機(jī)制為紐帶，完善風(fēng)險補(bǔ)償與認(rèn)證體系；以設(shè)備攻堅(jiān)為支撐，推動智能化與綠色化轉(zhuǎn)型；以人才培養(yǎng)為核心，構(gòu)建國際化創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)。通過系統(tǒng)施策，力爭到2030年使我國成為全球?yàn)R射靶材的主要供應(yīng)國，在7nm及以下節(jié)點(diǎn)靶材領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全面突破，為科技自立自強(qiáng)提供堅(jiān)實(shí)支撐。

濺射靶材的發(fā)展歷程表明，關(guān)鍵核心技術(shù)突破不可能一蹴而就，需要長期主義思維與系統(tǒng)布局。只有將技術(shù)創(chuàng)新嵌入產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，才能實(shí)現(xiàn)從“單點(diǎn)替代”到“系統(tǒng)可控”的質(zhì)變，為我國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展奠定材料基礎(chǔ)。

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